美光科技 (MICRON TECHNOLOGY, INC.) (MU)
跑赢大盘 (Outperform)

美光FQ4 FY2025:创纪录收官,指引毛利率突破50%

发布时间: 作者:Aardvark Labs MU | Q4 FY2025 财报分析 English Original
语言说明。本中文版为基于英文原版的非约束性翻译,旨在便于中文读者理解。如内容有歧义,请以英文原版为准。所有评级、估值区间与财务数据均与英文原版一致。

核心要点

  • 2025财年以炸裂的成绩收官。营收创纪录达到$11.3B(环比+22%,同比+46%),非GAAP毛利率45.7%(指引为42%),非GAAP EPS为$3.03,一致预期为$2.77。全年营收增长49%至$37.4B,EPS增长538%至$8.29。
  • 真正让人眼前一亮的是财年Q1指引:营收创纪录达$12.5B,毛利率51.5%,EPS创纪录达$3.75。从36.5%的谷底出发,两个季度内毛利率突破50%,这是有记录以来最陡峭的存储毛利率拐点之一。
  • 我们上季度跟踪的每一项承诺,管理层都兑现了:毛利率超预期,HBM份额在日历年Q3达到与DRAM份额持平,库存回到目标水平(DRAM低于目标,为124天),并首次披露新的业务部门分部,其中Cloud Memory毛利率达59%。
  • 唯一朝错误方向走的变量是资本密集度:2026财年资本支出净额定在约$18B(高于$13.8B),而随着DRAM扩产加速,财年Q4自由现金流仅有单薄的$803M。周期也在走向成熟,股价年初至今已上涨近98%。
  • 评级:维持跑赢大盘。毛利率接近周期高点,股价走势也已过度延伸,但按财年Q1 $3.75的EPS运行率计算,股价仍只有约10倍远期市盈率,而且DRAM供应指引紧张将延续到2026年较晚时候。盈利能力的重估速度持续快于股价。我们继续做多,同时留意周期见顶回落的最初迹象。

MU 财务模型

Income Statement · Dollars in millions, except per share

MU 利润表预览。Dollars in millions, except per share。先列示历史财年,后为我们的预测。
Income Statement
历史实际预测
FY2023FY2024FY2025FY2026EFY2027EFY2028E
Revenue$15,540$25,111$37,378$129,016$232,574$274,833
Less: Cost of Goods Sold($16,956)($19,498)($22,505)($25,510)($52,280)($117,704)
Gross Margin($1,416)$5,613$14,873$103,506$180,294$157,129
Less: Research and Development($3,114)($3,430)($3,798)($5,139)($6,717)($10,867)
Less: Selling, General, and Administrative(920)(1,129)(1,205)(1,513)(2,098)(2,888)
Less: Restructure and Asset Impairments(171)(1)(39)000
Less: Other Operating (Income) Expense, Net(124)251(61)(43)00
Operating Income (Loss)($5,745)$1,304$9,770$96,811$171,480$143,374
Interest Income$468$529$496$759$1,163$1,789
Interest Expense(388)(562)(477)(106)00
Other Non-Operating Income (Expense), Net7(31)(135)(859)(1,395)(1,649)
Pretax Income (Loss)($5,658)$1,240$9,654$96,605$171,247$143,514
Less: Income Tax (Provision) / Benefit($177)($451)($1,124)($14,354)($26,543)($22,245)
Equity in Net Income (Loss) of Equity Method Investees2(11)91300
Net Income (Loss)($5,833)$778$8,539$82,264$144,704$121,269
EPS — Basic($5.34)$0.70$7.65$72.94$128.83$111.27
EPS — Diluted($5.34)$0.70$7.59$71.93$126.92$109.62
Shares — Basic (M)1,0931,1051,1161,1281,1231,090
Shares — Diluted (M)1,0931,1181,1251,1441,1401,106
Ratios & Assumptions
YoY Revenue Growth(49.5%)61.6%48.9%245.2%80.3%18.2%
Gross Margin %(9.1%)22.4%39.8%80.2%77.5%57.2%
Operating Margin(37.0%)5.2%26.1%75.0%73.7%52.2%
Net Margin(37.5%)3.1%22.8%63.8%62.2%44.1%
Effective Tax Rate(3.1%)36.4%11.6%14.9%15.5%15.5%

完整工作簿另含 23 个历史季度与 9 个预测季度,以及 KPI Drivers · Balance Sheet · Cash Flow Statement — 每个小计均为实时公式,每项预测均可追溯至驱动因子。

下载完整 MU 模型 (xlsx)免费 — 登录或注册即可下载

业绩 vs. 一致预期

指标实际值(非GAAP)一致预期超预期/不及预期幅度
营收$11.315B$11.11B超预期+1.9%
毛利率45.7%~42%(指引)超预期较指引+370 bps
营业利润$3,955Mn/a超预期利润率35%
EPS(非GAAP)$3.03$2.77超预期+9.4%
EPS(GAAP)$2.83n/an/a毛利率44.7%
调整后自由现金流$803Mn/a偏弱资本支出$4.9B

超预期质量

  • 营收:DRAM主导,价格贡献丰厚。DRAM营收环比跃升27%至$9.0B(占总额79%),位元出货量增长十几%的低端,更关键的是,受供应紧张和有利产品组合推动,价格上涨两位数低端。此前几个季度都是靠量超预期、价格在跌,这是第一个价格明确成为正贡献的季度,标志着周期已经决定性地反转。
  • 利润率:45.7%的毛利率超出指引370 bps,环比提升670 bps,驱动因素是产品组合、DRAM价格和成本执行。营业利润率35%(提升820 bps),说明经营杠杆直接传导到了利润端。这是一份高质量、基础广泛的利润率成绩,而不是靠单一项目撑起来的。
  • EPS:$0.26的超预期部分略微受益于12%的税率(因离散项目低于指引),但真正干活的是经营引擎:营业利润$4.0B,营业利润率同比提升12个百分点。唯一的瑕疵是自由现金流仅$803M,因为DRAM扩产使资本支出升至$4.9B。
拐点,已经完成:两个季度前,美光把毛利率指引定在36.5%,股价下跌8%。本季度毛利率实际达到45.7%,并将财年Q1指引定在51.5%。两个季度内毛利率摆动15个百分点,从周期谷底走到接近周期顶部,整个上调评级的逻辑由此得到验证。股价面临的问题不再是毛利率会不会拐头,而是高位能维持多久。

分部表现

按技术划分的营收

技术营收占总收入比同比环比值得注意
DRAM$9.0B79%+69%+27%位元+十几%的低端,价格+两位数低端;FY25创纪录$28.6B
NAND$2.3B20%-5%+5%位元-中个位数%,价格受产品组合推动+高个位数%;FY25创纪录$8.5B

按业务部门划分的营收(新分部结构,首次披露)

业务部门营收占总收入比环比毛利率(环比)
Cloud Memory(CMBU)$4.5B40%+34%59% (+120 bps)
Core Data Center(CDBU)$1.6B14%+3%41% (+400 bps)
Mobile & Client(MCBU)$3.8B33%+16%36% (+12 pts)
Auto & Embedded(AEBU)$1.4B13%+27%31% (+540 bps)

新的分部结构是本季度最重要的披露

美光首次按重组后的业务部门披露盈利能力,结果改变了给公司估值的思路。涵盖HBM和云端DRAM的Cloud Memory占营收40%,毛利率59%。Core Data Center再贡献14%的营收,毛利率41%。两者合计,数据中心业务占2025财年营收的56%,毛利率52%。这次披露传递的信息毫不含糊:美光如今主体上是一家数据中心存储公司,最高价值的产品线拥有堪比软件公司的分部利润率。

“2025财年,美光数据中心业务占公司总营收的比例创纪录达到56%,毛利率为52%。” — Sanjay Mehrotra, CEO

评估:59%的Cloud Memory毛利率是本次财报中最有分量的单一数字。它把多头观点一直定性论证的东西量化了:HBM加云端DRAM的核心业务理应获得比传统存储结构性更高的估值倍数,而组合中的其他业务(Mobile & Client为36%,Auto & Embedded为31%)也在快速重估。新分部第一次让市场看清了产品组合转移的故事。

Mobile、Client、Auto、Embedded:全面抬升

每个业务部门都实现环比增长,利润率大幅提高。Mobile & Client增长16%,毛利率提升12个百分点至36%;Auto & Embedded增长27%,利润率提升540 bps至31%,汽车和工业需求的走强超出了美光最初的预测。这种广度证实了这是全行业的供应收紧,而不只是数据中心的现象。

评估:连利润率最低的分部都在以两位数扩张利润率,综合利润率的顺风就具备了真正的持续性。周期复苏已全面铺开,这降低了某个疲弱终端市场在HBM和云端DRAM来得及抵消之前把综合数字拉低的风险。

重点议题与管理层评论

管理层整体基调:这是我们覆盖的四个季度里最自信的姿态,而且有底气。管理层开场就提醒市场,他们在2024年初承诺要成为AI的主要受益者,随后交出了营收增长49%、EPS增长538%的一年。前瞻表述重点押在2026年DRAM供应紧张和业界领先的HBM4上。唯一的保留是照例拒绝给出财年Q1之后的指引,以及坦率承认资本支出将大幅提升。

1. 毛利率突破50%

财年Q1毛利率指引为51.5%,环比提升约580 bps,驱动因素是DRAM供应紧张与价格、NAND改善、有利的产品组合和成本执行。管理层预计毛利率将从财年Q1到财年Q2再次上升,理由是持久的供需因素。

“我们预计毛利率将从第一季度到第二季度环比改善。这得益于DRAM供应紧张及相应的价格,加上NAND业务持续改善……我们预计2026年HBM和非HBM业务的利润率都会保持健康。” — Mark Murphy, CFO

评估:把毛利率指引定在50%以上,然后再暗示环比继续上升,这是关于定价权最强有力的表态。“HBM和非HBM都健康”这一明确表述很关键:这不只是HBM产品组合的故事,整个DRAM业务都赚得很好。我们首次覆盖时的毛利率空头观点,目前已经作废。

2. HBM份额追平DRAM份额,HBM4领跑行业

本季度HBM营收接近$2B(年化运行率约$8B),美光的HBM份额有望在日历年Q3追平其整体DRAM份额,兑现了一个跨越多个季度的目标。HBM4方面,美光已送样带宽超过2.8 TB/s、引脚速率超过11 Gbps的产品,管理层称其性能超越所有竞争对手的HBM4产品,首批量产出货预计在日历年2026年Q2。

“我们近期已向客户送样HBM4,其带宽达到业界领先水平,超过2.8 terabytes每秒,引脚速率超过11 gigabits每秒。”Mehrotra补充说,Micron认为自家HBM4的表现优于所有竞品HBM4。— Sanjay Mehrotra, CEO

评估:按计划让HBM份额追平DRAM份额,再宣称在HBM4上取得绝对性能领先,美光完成了从HBM落后者到并列领先者的转型。自研的先进CMOS基础裸片是真正的差异化优势。整个结构性投资逻辑都建立在这个持久的竞争地位上,而它还在加强。

3. 2026年HBM锁定程度越来越高

HBM客户扩大到六家,美光已与几乎所有客户就其日历年2026年绝大部分HBM3E供应达成定价协议。公司正在就HBM4的规格和数量积极谈判,预计在未来几个月内达成协议,售罄2026年剩余的全部HBM供应。

“我们已与几乎所有客户就日历年2026年绝大部分HBM3E供应达成定价协议……我们预计在未来几个月内达成协议,售罄日历年2026年剩余的全部HBM供应。” — Sanjay Mehrotra, CEO

评估:以约定价格锁定2026年绝大部分HBM供应,相当于把明年很大一块营收变成了接近合同化的在手订单。这种可见度正是存储行业获得比历史更高、更稳定估值倍数的理由。剩余的2026年HBM4定价是最后一个大的未知数,而它正在被敲定。

4. DRAM供应在结构上偏紧

管理层从多个因素论证2026年DRAM偏紧:供应商库存低、制程迁移受限(因为行业在延长D4/LP4的支持)、交付周期拉长,以及全球新晶圆产能成本上升。HBM的晶圆置换比消耗先进制程晶圆,进一步加剧了紧张。管理层还把日历年2025年服务器出货量增长展望上调至约10%,理由是AI agent正在推动传统服务器的工作负载。

“我们预计行业DRAM供应将进一步趋紧,NAND市场状况持续走强……供应商库存低、制程迁移受限……交付周期拉长,以及全球新晶圆产能成本上升,这些都将限制2026年DRAM供应增长的速度。” — Sanjay Mehrotra, CEO

评估:这就是毛利率能维持高位的关键所在。供应增量在结构上受限,而需求在AI服务器、传统服务器、AI PC和AI手机上全面扩散。2026年DRAM市场偏紧是维持跑赢大盘评级的支柱;风险在于同样的高价最终会把供应提前拉出来,这正是周期后段的担忧。

5. 1-gamma良率爬坡创纪录

1-gamma DRAM节点达到成熟良率的速度比上一代快50%,美光是第一家出货1-gamma的厂商,并已从一家大型超大规模客户获得1-gamma服务器DRAM的首笔营收。2026年DRAM供应增长的大部分将来自1-gamma,从而腾出1-beta产能供给HBM。

“我们的one gamma DRAM节点以创纪录的时间达到成熟良率,比上一代快50%。我们是业内第一家出货one gamma DRAM的公司。” — Sanjay Mehrotra, CEO

评估:制程领先放大了供应紧张带来的优势:1-gamma改善标准DRAM的成本和位元密度,同时把1-beta留给HBM。创纪录的良率爬坡速度从运营层面证明,驱动利润率故事的是美光的技术执行力,而不只是周期。

6. 资本支出大幅加码

2025财年资本支出净额为$13.8B;2026财年定在约$18B净额(以每季度约$4.5B为基线),驱动因素是DRAM前道设备和新建厂房。资本支出达到$4.9B,使财年Q4自由现金流仅$803M,不过管理层预计2026财年全年自由现金流将显著提高。

“我们预计2026财年资本支出将高于2025财年水平。DRAM前道设备和晶圆厂建设将推动2026财年资本支出增加。” — Sanjay Mehrotra, CEO

评估:这是唯一一根与多头观点背道而驰的支柱。约$4B的资本支出增量,是支撑价格的供应紧张所付出的代价,即便盈利飙升,它也会压缩短期自由现金流。押注的是定价环境足以覆盖扩产成本还有富余。在一代人一遇的拐点上这是正确的押注,但如果周期在产能变现之前反转,代价也会更大。

7. NAND悄然走出低谷

受有利产品组合推动,NAND价格环比上涨高个位数,全年NAND营收创纪录达$8.5B,管理层认为进入2026年状况将持续改善,HDD供应短缺把需求推向NAND也有帮助。美光还停止了未来移动端managed NAND的开发,以专注于ROI更高的机会。

评估:NAND已从我们首次覆盖时拖累毛利率的包袱,变成价格上涨、供应背景更健康的贡献者。退出低ROI的移动端managed NAND,是把产品组合进一步聚焦到数据中心和高价值存储。NAND空头支柱现在基本已被控制住。

8. 美国本土冠军的定位

管理层着力强调美光作为唯一一家美国本土存储制造商的地位,并与$200B的国内投资计划和CHIPS补助拨款挂钩,还强调在代码生成等部分用例中内部AI带来了30-40%的生产率提升。日本晶圆厂以创纪录的速度装好了第一台EUV设备。

评估:在政策偏向本土半导体产能的环境下,美国制造商的身份具有战略价值,内部AI生产率提升则是一项不声不响的成本和速度优势。两者对短期模型影响都不大,但都强化了竞争地位的持久性。

指引与展望

指标(非GAAP)FQ4 FY25实际值FQ1 FY26指引(中值)变动
营收$11.3B$12.5B ± $300M上调(环比+11%;创纪录)
毛利率45.7%51.5% ± 1.0%上调(+580 bps;突破50%)
运营支出$1.2B~$1.34B上调(研发、数据中心)
摊薄EPS$3.03$3.75 ± $0.15上调(+24%)
税率12%~16.5%上升(FY26税率)
资本支出$4.9B(FY25净额$13.8B)~$4.5B(FY26基线~$18B)加码中

财年Q1指引上调了每一条要紧的项目:营收创纪录达$12.5B,毛利率51.5%,跨过了具有象征意义的50%门槛,EPS创纪录达$3.75,而且这是在消化了更高的16.5%税率之后。管理层表示,受DRAM供应紧张和NAND改善推动,毛利率进入财年Q2还会再升。

隐含轨迹:把财年Q1 $3.75的EPS年化,运行率约为$15;加上管理层指引毛利率进入财年Q2进一步走高、DRAM一直紧张到2026年底,2026财年EPS注定将远远超过2025财年的$8.29。

市场预期:三项指引都轻松高于一致预期。市场又一次在追着上调预测,而不是公司把指引压低到容易超越的数字。

关注事项:盈利爬坡有两个抵消项:税率升至16.5%(新加坡全球最低税),资本支出升至约$18B,拖累短期自由现金流。2026财年还是53周的年度,多出的一周落在财年Q4的运营支出里。

分析师问答要点

51.5%是新的基线吗?还剩多少空间?

主要的提问方向是追问51.5%的毛利率是顶点还是更高路径上的一级台阶,以及59%的Cloud Memory毛利率还能再涨多少。管理层拒绝给出更远季度的指引,但明确表示受DRAM供应紧张、NAND改善、产品组合和成本推动,毛利率将从财年Q1到财年Q2上升。

问:“在今年余下时间里,毛利率的有利和不利因素你们怎么看?51.5算不算基线?只要销售增长,你们能在这个水平上继续扩张吗?……我看到你们云数据中心业务的毛利率是59%……还有多少空间?”
— Vivek Arya, Bank of America Securities

答:“我们预计毛利率将从第一季度到第二季度环比改善……这得益于DRAM供应紧张及相应的价格,加上NAND业务持续改善……我们预计2026年HBM和非HBM业务的利润率都会保持健康。”
— Mark Murphy, CFO

评估:管理层不肯给出天花板,还指向进一步的上行空间,这是在不给明确指引的前提下所能给出的最强信号。“HBM和非HBM都健康”这句是关键线索:这是整个产品组合的利润率故事,而不只是HBM的。

更长期的HBM TAM

有分析师提问,鉴于加速器支出呈爆发式增长,长期HBM TAM是否要更新。管理层重申到2030年HBM TAM约为$100B,并重申HBM位元增速将超过整体DRAM,把存储定位为未来数万亿美元AI基础设施支出的核心。

问:“你们之前给我们的指引是到2028年HBM TAM达到$100B……很明显,现在的算力TAM比你们当时可能看到的大得多。这个数字会更新吗?”
— Timothy Arcuri, UBS

答:“到2030年,我们预计HBM TAM将达到$100B。我们也说过HBM位元的CAGR将快于DRAM的CAGR……HBM的价值主张在不断提升……存储正处于这场AI革命的核心。”
— Sanjay Mehrotra, CEO

评估:到2030年$100B的HBM TAM,加上位元增速超过DRAM、每位元价值随HBM4和HBM4E不断提升,为结构性故事提供了多年的跑道。管理层守住TAM数字而不是追高,读起来是自律而非推销。

HBM3E向HBM4的切换与2026年定价方向

有提问追问HBM3E向HBM4切换的时点,以及已敲定的2026年HBM3E定价方向。管理层表示HBM4首批量产在日历年2026年Q2,并在2026年内持续爬坡,2026年份额会提升,对定价方向不予置评,只说供需环境健康。

问:“你们怎么看从HBM3E到HBM4的过渡?预计明年什么时候切换?……你们提到3E在26年的定价已经敲定。相比现在的价格,方向是怎样的?更高还是更低?”
— Vivek Arya, Bank of America Securities

答:“首批量产出货在26年CQ2的时间段,产量将在2026年期间逐步爬坡……2026年相比2025年,我们看到份额在提升……我们不对HBM3E的定价发表评论……供应很紧。我们预计2026年供需环境健康。”
— Sanjay Mehrotra, CEO

评估:拒绝给出定价方向,是本次电话会上最重要的一个不回答。供应偏紧、需求已锁定,这种沉默偏向积极,但2026年HBM定价仍是明年预测中最大的单一变数,而且尚未完全尘埃落定。

DRAM需求拐点在季节性淡季能否持续

有提问问到,近期由推理类超大规模客户带动的DRAM需求拐点是否持久,以及季节性偏弱的2月季度是否会比往常更坚挺。管理层列举了AI需求在数据中心和边缘端全面扩散、传统服务器需求上升以及供应偏紧,作为2026年健康的理由。

问:“确实感觉在过去一两个月里,DRAM需求出现了由推理类超大规模客户带动的拐点……其持续性如何……你们说过预计紧张会延续到26财年……我们应该看到正常的季节性吗?”
— C.J. Muse, Cantor Fitzgerald

答:“AI趋势很强劲……不只是训练,推理也是……我们也看到传统服务器需求在增加……这涵盖数据中心、AI智能手机和AI PC……我们期待日历年2026年有健康的供需环境。”
— Sanjay Mehrotra, CEO

评估:管理层在暗示,在供应偏紧的支撑下,进入2月季度的趋势将好于季节性。需求的广度(训练加推理加边缘端加传统服务器)才是让持续性说法可信、而非一厢情愿的原因。

2026财年资本支出加码

有提问要求细化约$18B的2026财年资本支出净额,以及设备与建设的拆分。管理层只给了粗线条的拆分(绝大部分投向DRAM,包括建设、制程转换设备和新建厂房的设备安装),并澄清了净额与总额的口径,指出2025财年是总额$15.8B减去$2B补贴。

问:“看起来隐含的资本支出净额是$18B,去年是$13.8B……能否拆分一下设备和洁净室各占多少?能否透露26财年隐含的资本支出总额?”
— C.J. Muse, Cantor Fitzgerald

答:“我们'26年的支出绝大部分用于DRAM,包括相关的建设和设施、一些制程转换设备,以及开始为新建厂房安装设备……我们'25年最终净额为13.8,总额为15.8,其中有$2B的政府补贴。”
— Mark Murphy, CFO

评估:资本支出加码是实打实的,而且前置投入到将在多年内变现的DRAM产能上。它是支撑价格的供应紧张的代价,但如果周期反转,它也是最可能让关注自由现金流的投资者失望的项目。这是从现在起最大的单一关注事项。

HBM4基础裸片设计与性能领先

一个细致的问题问到,实现业界领先的HBM4带宽是否需要重新设计基础裸片,以及在更高速率下功耗效率是否仍然领先。管理层将其归功于自研的先进CMOS基础裸片(由美光自己制造)和DRAM设计,在带宽和功耗上都超出了客户要求。

问:“你们部分HBM4客户要求的带宽比普通JEDEC标准高出多达25%……团队是否必须重新设计基础逻辑裸片才实现这些结果?……即使速率更高,你们的功耗是否仍优于竞争方案?”
— Harlan Sur, JPMorgan

答:“我们的创新设计、存储架构、DRAM中的先进CMOS以及基础裸片中的先进CMOS,而且这颗先进CMOS基础裸片是由美光在这里自己制造的,这给了我们竞争优势……使我们能够满足客户日益提高的要求,带宽达到每秒2.8 TB,速率超过每秒11 Gb。”
— Sanjay Mehrotra, CEO

评估:自主掌握先进CMOS基础裸片,相对于外包这一环节的竞争对手是结构性优势,同时支撑性能和利润率。美光在超出客户规格的同时还宣称功耗领先,降低了2026年最重要产品的风险,也支撑了份额提升的叙事。

他们没有说的

  1. 2026年HBM定价方向:管理层一再拒绝说明已敲定的2026年HBM3E定价相比当前是涨是跌。供应偏紧,这种沉默偏向积极,但它让2026年最重要的预测变量无法量化。
  2. 财年Q2及FY26全年指引:只给了定性的“进入财年Q2毛利率上升”。50%以上毛利率在一个季度之后能否持续,只是断言,并非指引。
  3. 2026财年资本支出总额:管理层给出了~$18B的净额数字,但不肯披露总额以及设备与建设的拆分,让自由现金流的推算变得模糊。
  4. 如果供应追上来,价格会怎样:多头观点建立在供应偏紧之上;管理层没有回应周期后段的风险,即今天的高价会提前拉出恰恰终结紧张的那批产能。
  5. NAND,除了“改善”之外:NAND的表述停留在定性层面;对于这个此前拖后腿的分部,没有给出明确的利润率或价格轨迹。

市场反应

  • 财报前态势:MU于September 23收于$166.41,年初至今上涨了惊人的97.7%,过去30天上涨41.4%,接近$168.89的52周收盘高点。进入财报时预期已极度高企。
  • 盘后走势:在超预期并上调指引的消息下,股价在盘后初步反应中小幅上涨约1%(至约$165.61)。
  • 次日交易:September 24股价回落,收跌-2.8%至$161.71,成交57.1M股(30日均量的2.7倍),盘中低点接近$158.30。S&P 500为-0.3%。

这已是连续第三个季度强劲财报换来平淡甚至负面的反应,这是持仓问题,而不是业绩问题。股价年初至今上涨近98%,门槛高得离谱,即便是一份毛利率指引超过50%的炸裂财报,也没能带来后续上涨。指引如此强劲却回落2.8%,我们解读为对过度延伸走势的消化,而不是对基本面的判决。不过这个模式确实传递了一个信息:从现在起,股价需要周期持续带来惊喜,因为容易填补的预期差已经合上了。

卖方观点

争论:利润率见顶,还是更高的平台?

多头观点:51.5%的指引进入财年Q2还在上升,2026年HBM已锁定,DRAM供应结构性受限,加上59%的Cloud Memory利润率,说明业务已重置到一个持久更高的利润率平台,而不是单季顶点。

空头观点:存储利润率总会均值回归;51.5%已接近上轮周期高点,资本支出正激增以增加恰恰终结紧张的那批供应,正确做法是在利润率见顶时卖出,而不是追高。

我们的看法:晶圆置换比机制和锁定的HBM确实让这轮周期比以往更长,因此我们不认为顶点迫在眉睫。但我们尊重周期后段的算术:在远期盈利仍在上升的基础上,评级仍为跑赢大盘,而我们的下调触发条件是出现供应追上需求或HBM定价走软的第一个具体证据。

争论:新分部应让估值倍数重估多少?

多头观点:占营收40%的Cloud Memory拥有59%的毛利率,证明数据中心核心业务应获得半导体级别的估值倍数,分部加总估值高于市场目前采用的综合周期性倍数。

空头观点:分部利润率本身也是周期性的;今天59%的利润率在下行期可能变成35%,所以对周期顶部的分部利润率套用结构性估值倍数,是典型的存储价值陷阱。

我们的看法:新披露足以支撑一定的估值倍数扩张,因为它揭示了Cloud Memory中真正高价值、合同化程度越来越高的营收。我们不会把59%的利润率当作永久水平资本化,但锁定的2026年HBM带来的可见度意味着,该分部利润率比典型的存储周期顶点更持久。

争论:资本支出激增会动摇现金逻辑吗?

多头观点:约$18B的2026财年资本支出投向一个已售罄、供应受限的市场;即使加码之后,管理层仍预计2026财年全年自由现金流将显著提高,因此扩产可以自我融资。

空头观点:在$4.9B资本支出下,财年Q4自由现金流仅$803M;在周期顶部加码$4B,恰恰是存储公司过度扩产的时刻,而自由现金流的回报假设价格守得住。

我们的看法:这是目前最站得住脚的空头论点。鉴于需求可见度,加大资本支出是正确的决定,现金也应该仍会增长,但如果周期在产能变现之前反转,它会放大下行风险。我们正密切关注自由现金流转化率,把它作为影响评级的关键变量。

模型更新与估值框架

项目此前观点(FQ3后)财报后观点原因
FQ1 FY26营收隐含~$11.5B$12.5B公司指引;创纪录
FQ1 FY26非GAAP毛利率~43–44%51.5%DRAM供应紧张+价格+产品组合
FQ1 FY26非GAAP EPSn/a$3.75公司指引;创纪录
FY26资本支出(净额)~$15B~$18BDRAM前道+新建厂房
FY26税率十几%的高端16.5%新加坡全球最低税

估值框架:按财报后$161.71的收盘价,财年Q1 $3.75的非GAAP EPS指引年化接近$15,加上管理层指引毛利率进入财年Q2进一步走高、DRAM一直紧张到2026年底,2026财年EPS看来将大幅高于2025财年的$8.29。这使股价处于约10倍远期市盈率,对一家盈利能力创纪录、数据中心核心业务毛利率达59%且2026年HBM基本锁定的公司来说并不苛刻。多头观点是周期还有上行空间,FY26一致预期仍然偏低;空头观点是约10倍的倍数恰恰是市场在周期顶部存储盈利回落之前愿意支付的价格,而且资本支出加上税率会限制自由现金流的上行空间。

我们的结论:基本面兑现了每一项承诺,远期盈利能力的重估速度仍快于股价,因此尽管年初至今涨幅可观,我们仍保持在跑赢大盘。不过我们越来越留意周期后段的信号:上升的资本支出、逼近顶点的利润率,以及炸裂财报后的平淡反应。如果出现供应追上需求、2026年HBM定价走软,或资本支出跑赢现金导致自由现金流转化恶化的具体证据,我们会转为持有。

财报后投资逻辑记分卡

逻辑要点状态备注
Bull 1 — HBM份额爬升至与DRAM持平确认CQ3达到持平;HBM运行率~$8B;HBM4行业领先;6家客户;CY26接近售罄
Bull 2 — DRAM定价权/先进制程紧张确认DRAM价格环比+两位数低端;毛利率升至51.5%;供应指引一直紧张到CY26年底
Bull 3 — 制程领先(1-gamma)确认成熟良率快50%;首家出货;首笔超大规模客户1-gamma服务器DRAM营收
Bear 1 — NAND结构性盈利不足可控NAND价格环比+高个位数;FY25创纪录$8.5B;状况改善;退出低ROI移动端managed NAND
Bear 2 — 综合毛利率轨迹已化解实际45.7%;FQ1指引51.5%且进入FQ2继续上升;谷底空头观点作废
Bear 3 — HBM扩产的资本密集度升级中FY26资本支出~$18B(此前$13.8B);FQ4 FCF仅$803M;新的首要关注事项

总体:六大支柱中有五个得到确认并加强。利润率和NAND两个空头论点已解决或已被控制;资本密集度这根支柱已经升级,现在是核心风险,另一个是逼近顶点的利润率能持续多久这一周期性问题。

操作:维持跑赢大盘。基于仍在上升的远期盈利和低于周期顶部的估值继续做多,同时收紧对资本支出、自由现金流转化以及供应追上需求最初迹象的关注。

结论

美光以这样一个季度为2025财年收官,回过头来证明了上调评级的正确:营收创纪录达$11.3B,毛利率升至45.7%,EPS为$3.03,财年Q1指引毛利率突破50%,EPS创纪录达$3.75。全年营收增长49%至$37.4B,EPS增长538%至$8.29。管理层兑现了我们跟踪的每一项承诺,HBM按计划追平DRAM份额,库存回到目标水平,新的分部披露也给多头观点标上了一个数字:59%的Cloud Memory毛利率。

我们维持跑赢大盘。坦白说存在几处张力:利润率接近周期高点,股价年初至今上涨近98%,对炸裂财报的反应只是耸耸肩,资本支出还在加码到约$18B。但评级是十二个月的前瞻观点,在这个时间维度上,远期盈利能力的重估速度仍快于股价,DRAM供应指引结构性紧张并延续到2026年较晚时候,股价约为10倍远期市盈率。这一组合让风险回报依然有利。我们睁大眼睛继续做多:会让我们转为持有的两件事,是供应追上需求的证据,或资本支出激增跑赢现金的证据。两者都还没有发生,在发生之前,这轮周期仍由美光来驾驭。

独立性声明 截至发布日,作者在 MU 中不持有任何头寸,且未来72小时内无计划建立任何 MU 头寸。Aardvark Labs Capital Research 在公司层面执行不交易任何覆盖标的的政策。我们未因本研究获得 Micron Technology, Inc. 或任何关联方的任何报酬。